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NVDIMM引领中国存储潮流
阅读量:5228 次
发布时间:2019-06-14

本文共 1235 字,大约阅读时间需要 4 分钟。

NVDIMM引领中国存储潮流

NVMSA 2014

第三届IEEE非易失性存储系统和应用专题论文集研讨会(NVMSA 2014)于8月20到21号在重庆大学举行。NVMSA旨在作为一个平台,让全球学术界和工业届非易失性存储研究者自由分享知识、交流经验、洞察未来,促进潜在的合作机会,从而加速非易失存储的设计和应用。

此次大会囊括了主流及新兴的非易失存储研发成果,主题包括:NVMs电路设计,商业化或实验原型存储器件的特性研究,非易失性存储纠错及数据编码方案研究,非易失存储及SSD存储系统的安全性、可靠性研究,新颖的存储架构及设计,用于服务器的NVM Cache设计,用于NVM和SSD的低功耗架构及管理方案,用于存储管理的操作系统及软件支持,NVM系统中的信号处理及编码方案,非易失性存储架构软硬件协调设计,NVMs和SSD的新应用领域展示等。

云动科技发表的题为“基于Flash的NVDIMM设计和实现”论文已被IEEE收录,其首席技术专家黄恒睿先生作为工业界代表受邀发表演讲并演示了NVDIMM在全系统保护方面的应用。作为世界首个WSP系统,月初举行的世界闪存峰会上亮相后便已引起业界强烈关注。而此次国内专家学者大多首次现场看到NVDIMM的神奇效果,均表示了震撼和惊讶,因为演示用的计算机外观与平常无异,但突然切断电源后,再上电时瞬间即可恢复先前工作状态,数据得以完整保存,这是普通计算机决计实现不了的奇迹。

未来存储技术

非易失性存储潜力无限,已被证明将在未来存储中起决定性的作用。其特性包括高集成度、大存储容量、零待机功耗、高软件容错率等。现今研究热点领域包括NVDIMM、PCM、STT-RAM、RRAM、FeRAM等,学术界和工业界研究热情空前高涨、大有一统天下之势。

多年来,PCM、STT-RAM、ReRAM等未来存储技术都宣称各自终将成为通用内存,并取代现有内存技术。但大多无法准时上市,也没达到所宣称的效果,再加上现有内存技术的持续升级,更延缓了新一代内存的市场需求。“FRAM、MRAM、PCM等技术,都有很大的机会取代现有内存;而唯一所需的就是将成本降到低于现有内存的水平。这听起来很简单,实际上非常困难,是阻碍这些技术达到临界值量的一大挑战。”Objective-Analysis的分析师Jim Handy表示。

NVDIMM超级内存

NVDIMM是一种把内存和闪存通过超级电容有效结合以达到非易失性的复合记忆技术,业界称其为超级内存,目前主要应用于非易失性主存及低延迟永久存储领域如全系统保护、非易失写Cache、内存数据库、分布式存储等。其核心技术是一个半导体控制芯片,由于使用了普通商用内存和闪存,且升级无需改动架构,所以非常经济实用。

NVDIMM正引领着存储业的潮流!假以时日,超级内存这项技术定能开花结果,带来性能的大幅提升。

转载于:https://www.cnblogs.com/presida/p/3945136.html

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